① 什么是nand，什么是nor
NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快，而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写(编程)操作的能力(见下图图2)。NOR的随机存取能力支持直接代码执行(XiP)，而这是嵌入式应用经常需要的一个功能。NAND的缺点是随机存取的速率慢，NOR的缺点是受到读和擦除速度慢的性能制约。NAND较适合于存储文件。如今，越来越多的处理器具备直接NAND接口，并能直接从NAND(没有NOR)导入数据。编程速度快、擦除时间短NAND的真正好处是编程速度快、擦除时间短。NAND支持速率超过5Mbps的持续写操作，其区块擦除时间短至2ms，而NOR是750ms。显然，NAND在某些方面具有绝对优势。然而，它不太适合于直接随机存取。对于16位的器件，NOR闪存大约需要41个I/O引脚；相对而言，NAND器件仅需24个引脚。NAND器件能够复用指令、地址和数据总线，从而节省了引脚数量。复用接口的一项好处，就在于能够利用同样的硬件设计和电路板，支持较大的NAND器件。由于普通的TSOP-1封装已经沿用多年，该功能让客户能够把较高密度的NAND器件移植到相同的电路板上。NAND器件的另外一个好处显然是其封装选项：NAND提供一种厚膜的2Gb裸片或能够支持最多四颗堆叠裸片，容许在相同的TSOP-1封装中堆叠一个8Gb的器件。这就使得一种封装和接口能够在将来支持较高的密度。NOR闪存的随机存取时间为0.12ms，而NAND闪存的第一字节随机存取速度要慢得多
② 适用于RAM、NOR FLASH和NAND FLASH的文件系统有那些适用于RAM、NOR FLASH和NAND FLASH的文件系统有那些
1、适用于RAM的一般是虚拟文件系统，Linux引入了虚拟文件系统VFS(Virtual File System)，为各类文件系统提供统一的操作界面和应用编程接口，/proc/下就是这样的文件系统，掉电会丢失； 2、NOR FLASH：JFFS主要用于NOR型闪存，基于MTD驱动层，JFFS是可读写的、支持数据压缩的、基于哈希表的日志型文件系统，并提供了崩溃/掉电安全保护，提供“写平衡”支持等功能，但是缺点：当文件系统已满或接近满时，因为垃圾收集的关系而使jffs2的运行速度大大放慢，不适合NAND FLASH上使用； 3、NAND FLASH： yaffs/yaffs2是专为嵌入式系统使用NAND型闪存而设计的一种日志型文件系统。与jffs2相比，它减少了一些功能(例如不支持数据压缩)，所以速度更快，挂载时间很短，对内存的占用较小。yaffs是跨平台的文件系统，除了Linux和eCos，还支持WinCE, pSOS和ThreadX等；yaffs与yaffs2的主要区别在于：前者仅支持小页(512 Bytes) NAND闪存，后者则可支持大页(2KB) NAND闪存。与JFFS相比，yaffs2在内存空间占用、垃圾回收速度、读/写速度等方面均有大幅提升。希望这个答案能够使你满意！
③ 在手机论坛中常可以看到“NAND”，“NAND”是什么
NAND技术NANDSamsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技术Flash Memory。这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。NAND技术Flash Memory具有以下特点：（1） 以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。（2） 数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。（3） 芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bit cost)最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制。（4） 芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。 Samsung公司在1999年底开发出世界上第一颗1Gb NAND技术闪速存储器。据称这种Flash Memory可以存储560张高分辨率的照片或32首CD质量的歌曲，将成为下一代便携式信息产品的理想媒介。Samsung采用了许多DRAM的工艺技术，包括首次采用0.15μm的制造工艺来生产这颗Flash。已经批量生产的K9K1208UOM采用0�18μm工艺，存储容量为512Mb。UltraNANDAMD与Fujistu共同推出的UltraNAND技术，称之为先进的NAND闪速存储器技术。它与NAND标准兼容：拥有比NAND技术更高等级的可靠性；可用来存储代码，从而首次在代码存储的应用中体现出NAND技术的成本优势；它没有失效块，因此不用系统级的查错和校正功能，能更有效地利用存储器容量。与DINOR技术一样，尽管UltraNAND技术具有优势，但在当前的市场上仍以NAND技术为主流。UltraNAND 家族的第一个成员是AM30LV0064，采用0.25μm制造工艺，没有失效块，可在至少104次擦写周期中实现无差错操作，适用于要求高可靠性的场合，如电信和网络系统、个人数字助理、固态盘驱动器等。研制中的AM30LV0128容量达到128Mb，而在AMD的计划中UltraNAND技术Flash Memory将突破每兆字节1美元的价格限制，更显示出它对于NOR技术的价格优势。3 AND技术AND技术是Hitachi公司的专利技术。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技术的Flash Memory。AND技术与NAND一样采用“大多数完好的存储器”概念，目前，在数据和文档存储领域中是另一种占重要地位的闪速存储技术。Hitachi和Mitsubishi公司采用0.18μm的制造工艺，并结合MLC技术，生产出芯片尺寸更小、存储容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory，再利用双密度封装技术DDP（Double Density Package Technology），将2片512Mb芯片叠加在1片TSOP48的封装内，形成一片1Gb芯片。HN29V51211T具有突出的低功耗特性，读电流为2mA，待机电流仅为1μA，同时由于其内部存在与块大小一致的内部RAM 缓冲区，使得AND技术不像其他采用MLC的闪速存储器技术那样写入性能严重下降。Hitachi公司用该芯片制造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用于智能电话、个人数字助理、掌上电脑、数字相机、便携式摄像机、便携式音乐播放机等。4 由EEPROM派生的闪速存储器EEPROM具有很高的灵活性，可以单字节读写（不需要擦除，可直接改写数据），但存储密度小，单位成本高。部分制造商生产出另一类以EEPROM做闪速存储阵列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇区结构闪速存储器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存储器（Data-Flash Memory）。这类器件具有EEPROM与NOR技术Flash Memory二者折衷的性能特点：（1） 读写的灵活性逊于EEPROM，不能直接改写数据。在编程之前需要先进行页擦除，但与NOR技术Flash Memory的块结构相比其页尺寸小，具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点。（2） 与EEPROM比较，具有明显的成本优势。（3） 存储密度比EEPROM大，但比NOR技术Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存储密度可达到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory芯片有试用样品提供。正因为这类器件在性能上的灵活性和成本上的优势，使其在如今闪速存储器市场上仍占有一席之地。Small Sector Flash Memory采用并行数据总线和页结构（1页为128或256B），对页执行读写操作，因而既具有NOR技术快速随机读取的优势，又没有其编程和擦除功能的缺陷，适合代码存储和小容量的数据存储，广泛地用以替代EPROM。DataFlash Memory是ATMEL的专利产品，采用SPI串行接口，只能依次读取数据，但有利于降低成本、增加系统的可靠性、缩小封装尺寸。主存储区采取页结构。主存储区与串行接口之间有2个与页大小一致的SRAM数据缓冲区。特殊的结构决定它存在多条读写通道：既可直接从主存储区读，又可通过缓冲区从主存储区读或向主存储区写，两个缓冲区之间可以相互读或写，主存储区还可借助缓冲区进行数据比较。适合于诸如答录机、寻呼机、数字相机等能接受串行接口和较慢读取速度的数据或文件存储应用。三、 发展趋势存储器的发展都具有更大、更小、更低的趋势，这在闪速存储器行业表现得尤为淋漓尽致。随着半导体制造工艺的发展，主流闪速存储器厂家采用0�18μm，甚至0.15μm的制造工艺。借助于先进工艺的优势，Flash Memory的容量可以更大：NOR技术将出现256Mb的器件，NAND和AND技术已经有1Gb的器件；同时芯片的封装尺寸更小：从最初DIP封装，到PSOP、SSOP、TSOP封装，再到BGA封装，Flash Memory已经变得非常纤细小巧；先进的工艺技术也决定了存储器的低电压的特性，从最初12V的编程电压，一步步下降到5V、3.3V、2�7V、1.8V单电压供电。这符合国际上低功耗的潮流，更促进了便携式产品的发展。另一方面，新技术、新工艺也推动Flash Memory的位成本大幅度下降：采用NOR技术的Intel公司的28F128J3价格为25美元，NAND技术和AND技术的Flash Memory将突破1MB 1美元的价位，使其具有了取代传统磁盘存储器的潜质。世界闪速存储器市场发展十分迅速，其规模接近DRAM市场的1/4，与DRAM和SRAM一起成为存储器市场的三大产品。Flash Memory的迅猛发展归因于资金和技术的投入，高性能低成本的新产品不断涌现，刺激了Flash Memory更广泛的应用，推动了行业的向前发展。
④ 手机里面的NAND是啥意思
这里说的16G绝对不是我们PC机经常说的内存，128MB的RAM才是内存。而16GB的空间相当于电脑的硬盘，用于给用户存储数据用的。NAND是一种闪存，也是用于存储东西的。但是它存储的东西是操作系统、启动程序和文件系统。我们一般不会直接去操作NAND，我们存储东西就是用那个16G的空间。希望我的回答能够解决你的疑惑。 谢谢
⑤ 什么是nand如何备份nand
简单的说就是psp的系统所在的位置，具体的看下面PSP-NANDPSP主基板上有一颗三星的K5E5658HCM-D060的芯片,这是一颗整合芯片,包括PSP的内存(32MB 333MHz DDR SDRAM)和闪存(32MB NAND FlashROM).-内存内存是分成两部分的.8MB的系统内存和24MB的用户内存.由于MIPS R4000处理器的启动地址是0xBFC00000,所以在PSPSDK的kmper那个例子里,这句:mp_memregion("ms0:/boot.bin", (void*) 0xBFC00000, 0x100000);mp的是PA/PB的主/副Boot区(各512KB).0x88000000到0x883FFFFF这4MB空间是用来在启动时加载系统核心和moles的.-闪存闪存也分成两个部分.1MB的引导区和31MB的数据区.数据区又包括24MB的Flash0(系统文件,固件)和4MB的Flash1(配置文件).lflash: 块设备,用来访问整个闪存,块大小为512字节,读/写lflash0:0,0(可写)flash0: FAT设备,只读lflash0:0,1(可写)flash1: FAT设备,只读lflash0:0,2lflash0:0,3fatfmtflashfat2flashfat3: 不详网上很多备份软件，搜索一下就能找到
⑥ psp备份NAND！~高手解答！~
简单的说 NAND包括 IPL IFlash IDStorage IPL是你程序初始化的加载器 神电的原理就是基于这个 IDStorage 保存着你所有的KEY文件 如果备份NAND的话 一般情况下 是备份IDStorage 有一点一定要注意 IDStorage绝对不能用别人的 要不肯定砖头了 Flash0 储存当前固件文件 一般刷XMB界面就是对Flash0动刀子 Flash 1 保存着你的所有设置 Flash2 只有当你用psp连接ps3或者电脑来登陆PlayStation网络的时候才会出现 Flash3 是被用来存储看电视功能的 如果像你说的你备份了NAND 那么当你变砖的时候（有点不吉利，呵呵） 用你备份的软件还原就行了 如果还有什么不懂的话 电玩巴士有详细的讲解 希望我的回答对你有帮助
⑦ B9破解后，内存卡里的NAND备份文件删吗
a9破解一般商家已经帮你备份好真实系统了，如果他说在内存卡里，那你就把里面NAND的文件复制出来。如果不在内存卡里，那就是在商家那里，a9现在已经固化虚拟漏洞到真实里了，所以拿到手备份是没有意义的，要的是破解前的系统备份文件。如果你实在想备份，按住start开机选。。。NAND options，。。。NAND backup/restore，。。。NAND backup再按a就备份了，弄完内存卡里就会有NAND文件（上下左右健可选备份的NAND种类，。。。为sys和ema 分别代表真实系统和虚拟系统）回答不容易,希望能帮到您,满意请帮忙~~一下，谢谢 !
⑧ switchnand是哪个模块
nand是switch的存储，它是一个32GB的eMMC模块。nand是switch的向下硬盘驱动，它是一个32GB的eMMC模块，用来存储固件和游戏。switch的nand或者虚拟系统的EMUNAND文件，解密其中的存档操作起来有些麻烦。switch备份nand可以通过破解前备份的nand以后可以恢复洗白。前提是你没被ban，另外就有nand也是一个保险，万一砖了可以用来恢复。
